Número do Produto do Fabricante:
CDMSJ22010-650 SL
Product Overview
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Número da Peça:
CDMSJ22010-650 SL-DG
Descrição:
SUPER JUNCTION MOSFETS
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 29.5W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventário:
500 Pcs Novo Original Em Estoque
13243523
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CDMSJ22010-650 SL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Central Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
726 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
29.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Informação Adicional
Outros nomes
1514-CDMSJ22010-650SL
CDMSJ22010-650 SL PBFREE
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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